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        总投资1个亿 又一个高科技研发项目落户科学城
        2021年04月08日 14:16 来源:中国新闻网

          4月7日,重庆高新区发布消息,由重庆笨瓜科技有限公司与韩国爱拓科技研发团队共同投资建设的中低容量闪存研发基地,落户西部(重庆)科学城。

          据了解,重庆笨瓜科技有限公司是一家致力于通讯类、物联网模块产品的研发、制造、销售及服务公司,主要聚焦在智能穿戴、智能手机研发等。韩国爱拓科技研发团队涵盖了IC设计、芯片测试等主要环节,有8位在存储器领域从业20年以上的资深行业专家,小米、海康威视等国内知名终端及整机系统企业均与其合作。

          该项目计划总投资1亿元,预计2021-2022年,该基地可实现28纳米的1GB/2GB/4GB存储芯片首次全掩膜工程流片研发,2023至2025年可建设测试线和封装生产线。

        【编辑:陈媛】
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